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随着软件（SDV）定义的汽车的更改，汽车制造商现在正在创新，以将受保护的半导体开关与本地控制器整合在一起。电子保险丝和SmartFet保护负载，传感器和执行器，从而提高功能安全性并为功能障碍提供更好的反应。与传统的域体系结构不同，区域控制体系结构使用集中式控制和计算方法，从而通过将每个ECU中的分散软件均匀地传递到强大的中央计算机处理来处理电子控制和降低能量分布的灵活性。本文引用：本系统解决方案指南（SSG）描述了控制车区域的最新趋势和技术。第一篇文章介绍了R控制体系结构的市场趋势，而第二篇文章则介绍了系统的体系结构和解决方案。系统描述????低压分布低压网格（LV）播放在所有模型中的重要作用。区域控制体系结构也部署在混合系统中，在混合系统中，只有电动汽车的区域控制体系结构脱颖而出。如下图所示，电源为高压电池（HV）（通常是400 V或800 V电池架构）。 HV-LV DC-DC转换器通常使用48 V或12 V电池架构为LV网络提供高电压和功率。有些汽车只有一个LV电池，有些汽车有两个不同的电池，每个电池都有不同的转换器，具体取决于制造商和汽车型号。低压分配系统的主要组件，Quad48 V和12 V Riking可以在同一车辆中共存，因此HV-LV转换器直接供应48 V电池，而另外的48 V-12 V转换器则用作中间体的下降场景。在集中式LV分配模式下，单个大型48V-12V（约3千瓦）货物可充电12 V电池。相反，区域控制架构为区域控制器（ZCU）提供了多个DC-DC计算机。它采用分发的方法来嵌入审核员。当使用单独的配电单元（PDU）和ZCU时，电源从电源通过PDU和ZCU流动，在特定区域中达到单个负载。 PDU位于ZCU的前面，也可以直接以高电流载荷为食。 ZCU负责将能源分配给车辆指定区域中的大多数负载。以下Diagblock分支在视觉上说明了功率流和几种实现解决方案。当前，在市场上有两种主要方法。 PDU和ZCU集成：将PDU和ZCU的功能集成到单个模块中。单个PDU和ZCU：使用独立的PDU和ZCU单元。 ??????从刀片保险丝到受保护的半导体开关，汽车保险丝是长期的，这是保护电路和下游载荷的标准解决方案，以免过电流。传统刀片保险丝的操作原理很简单且重要。如果电流在一定时间内太高（I2T），则细丝将融化并打开电路并包含会中断电流的校准细丝。选定的细丝材料及其横切区域确定了保险丝的标称电流。随着采用弧度控制的去除，车辆制造商和一级供应商越来越多地用受保护的半导体开关代替刀片保险丝，从而显着提高了功能安全性。与传统保险丝（保险丝之后必须更换）不同，可以恢复受保护的半导体开关，并且更先进，因为旅行事件后不需要更换。 Onsemi提供了三种类型的开关：电子保险丝，智能FETT和理想二极管控制器。该新设备具有以下应用程序的优点：改进的负载和安全保护：如果短路，它启用了智能保留机制和快速的暂时响应，这限制了当前的过度仪。灵活性已大大提高，有助于提高功能安全性并对扭转功能的ORN做出更好的反应。易于集成：这些开关可以通过微控制器（MCU）轻松地集成到较大的系统中，并可以提供配置，诊断和状态报告。重合：与传统保险丝不同，射击后不需要更换此类开关，从而允许灵活的保护解决方案和阈值调整。紧凑的尺寸：较小的设备将进一步鼓励整合到本地控制架构中，节省空间并简化车辆线束。该方案的一般描述？？？能量分布单元（PDU）：框图（PDU）的能量分布单元是车辆区域控制体系结构的重要组成部分，并在分布层次结构中扮演初始分布的作用。 PDU连接到车辆（通常为12V或48V）或HV-LV DC-DC转换器的低电池电池出口（LV），从而降低了由于转换器而导致的高压电池电压（HV）。 PDU明智地将能源分发给车辆内的不同区域，以确保高效可靠的能源管理。 PDU可以直接喂养高电流载荷，还可以将能量分配到多个区域控制器（ZCU）。 ZCUS进一步处理每个区域的分布，从而大大降低了线束的重量和复杂性。目前有多种选择可满足不同汽车制造商及其型号的特定要求。以下框图仅显示PDU的组成？ SmartFet下桥SmartFet，用于保护Upber和下桥-NCV841X“ F” SEMI提供两个系列：两个低桥SmartFet，NCV840X基础和NCV841X ME MEJORADO这两个系列的大头针彼此兼容，并在同一包中。 NCV841X提高了CSR的性能和对短路的保护，从而大大提高了其设备的使用寿命。 NCV841X SMARTFET使用差分温度热OFF技术，以有效防止高热暂时破坏设备，从而确保出色的RSC性能。 NCV841X系列的温度系数非常平坦，在温度范围内保持一致的电流极限为-40°C至125°C。基本上，它不受温度的影响，因此在寒冷的气候条件下电流增加，有必要选择较厚的电缆来处理加法。减小电缆尺寸有助于降低车辆线束线束的成本和消耗。 NCV8411（NCV841X系列）的关键特征：降低了易热的智能温度皇帝，免受3端和过量保护的保护，自动过电流重新启动，过度越过的保护，用于集成排水的ESD保护NCV682618261826111 NMOS控制器具有反向极性保护，上桥开关的可选功能，上桥开关的可选功能，比电源整流器和机械进料开关的二极管较低和向前电压。该控制器与一个或两个N通道的一个或两个MOSFET一起工作，以确定晶体管的状态，具体取决于资格引脚的状态以及差分电压极性在排水管中的输入。它的功能是规则的，蛋白能机（电源），VIN操作电压最高可达32 V，其负载负载（突然负载）脉冲可达60V。NCV68261配备了非常小的WDFNW-6包装，可以在很小的空间中进行保护。可以通过排水销轻松控制该控制器，并接受理想的二极管操作模式（图2）和逆极性保护操作模式（FigurE 3）。图2：NCV68261应用方案（理想二极管）图3：NCV68261应用方案（极性发明保护 +桥接开关）评估板（EVB）评估在两个理想二极管控制器中都可以使用：NCV68061和NCV68261。评估板允许用户以各种配置测试控制器，并通过评估板毛衣建立所需的保护模式。 -18 V和45 V之间的连接电源电压频率不应超过设备的最大额定值。其他桥梁使您可以使用评估板的预设设计或外部连接信号来控制设备。图4：NCV68261 MOSFET技术T10：40V-80V低压和中电压MOSFETT10是T6/T8成功​​后半导体发布的最后一个技术节点。新型的装甲门沟技术提高了能源效率，降低了输出能力，RDS（ON），QG门率改善了质量因素。 T10-M使用具有非常低（ON）和软恢复二极管的特定应用体系结构，用于发动机控制和负载开关。同时，T10-S旨在更改应用程序，并着重于降低输出容量。少量的RD（ON）为代价，但在较高频率下，能源效率增加了一般。 RD（ON）和门负载QG通常会减小，RSP（反对40 V设备的RDS（ON）区域，NVMFWS0D4N04XM中的RDS非常低至0.42mΩ。在80V设备上，NVBLS0D8N08X在80V设备上具有非常低的RDS（ON 0.8M）（ON）。 G/Q GD提高了表1中列出的一般能源效率和效率。设计师选择了多种技术和设备包。PDU明显高于当前的单个ZCU的水平，因此它可以考虑使用RDS的1.2MΩ来考虑单独的MOSFET解决方案。在PDU内平行。这可以进一步提高当前能力。在ZCUS中，目前的消费量很低，设计人员可以选择具有高级保护特性的SmartFet，例如新的SmartGuard功能。表1：建议半叶（对于12 V和48 V系统）。图5：MOSFET T10传统包装（下面的热耗散）和替代TCPAK57（上面的热耗散）。低压FETT的变薄，对基材的抗性可以代表大多数RD（ON）。因此，技术的进步使使用具有低电阻率且较薄的晶片的底物很重要。借助T10技术，对于半导体，晶片的厚度降低了，将底物对RDS（ON）的贡献降低了40V MOSFETT，将其从约50％降低到22％。薄表还可以改善设备的热性能。